Учёные из Китая и США разработали революционный полупроводник из графена

20.01.2024

Медиакорпорация Китая (CMG), телеканал «Большая Азия» (Мария Щепетнева)

2611

Кадры из программы "Китайская панорама"

Исследователи из Тяньцзиньского университета создали первый в мире полупроводник из графена. Это результат десятилетней совместной работы с американским Технологическим институтом Джорджии.

Тончайшие графеновые пластины, которые состоят всего из одного слоя атомов углерода, уже в ближайшие годы могут стать альтернативой кремнию и произвести революцию в электронике.

Ма Лэй, профессор Международного центра наночастиц и наносистем Тяньцзиньского университета:

«Мы очень рады созданию двумерного полупроводника. Когда мы протестировали его свойства транспортировки электронов, их подвижность оказалась очень высокой, примерно в 10 раз выше, чем у кремния в обычных условиях. Это полупроводящий эпитаксиальный графен, который исследователи давно искали».

Физические свойства кремния, из которого сделана почти вся современная электроника, приближаются к своим пределам. В условиях появления всё более быстрых вычислений и меньших по размеру устройств тончайший графен считают лучшим кандидатом на замену. Новизна открытия учёных из Тяньцзиня и Джорджии заключается в том, что они преодолели препятствие, которое годами затрудняло внедрение графена – они смогли «научить» его проводить электричество по команде. Для этого исследователи вырастили графеновую плёнку на карбиде кремния, и полуметалл графен стал работать как кремний. По словам Ма Лэя, для замены кремния полупроводящим графеном не надо даже менять технические процессы производства чипов. Новый материал также способен дать толчок развитию квантовых вычислений и наноэлектроники.